高温整流二极管芯片 - 青岛海宜丰电力电子有限公司

照片8

高温整流二极管芯片

芯片特点

1、采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。

2、正向压降低，功耗小。

3、高温200℃下反向漏电流小。

4、浪涌电流能力强。

5、芯片双面镍钛银金属化，牢固度强。

6、与正向芯片配合易于组装成三相桥电路。

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主要用途：

用于制作各种高温整流二极管，用于各种电器、电机及电子电路中整流用。

主要电特性：

型号	最大正向电流I_F（A）	最大反向重复峰值电压V_RRM（V）	最大浪涌电流 I_FSM（A）	最大峰值电压 V_FM(V)	最大反向漏电流		少子寿命 τ(s)	工作结温 T_jm(℃)	备注
型号	最大正向电流I_F（A）	最大反向重复峰值电压V_RRM（V）	最大浪涌电流 I_FSM（A）	最大峰值电压 V_FM(V)	I_R1(μA)（25℃）	I_R2(mA) (200℃)	少子寿命 τ(s)	工作结温 T_jm(℃)	备注
Φ6正向芯片	10	＞600	200	≤ 1.1	＜5	＜2	＜30	-55～200	芯片详细特性、外形尺寸以各芯片的规格书为准。
Φ6反向芯片	10	＞600	200	≤ 1.1	＜5	＜2	＜30
Φ9正向芯片	40	＞600	800	≤ 1.2	＜10	＜20	＜30
Φ9反向芯片	40	＞600	800	≤ 1.2	＜10	＜2	＜30
Φ11 正向芯片	60	＞1200	900	≤ 1.2	＜20	＜3	＜40
Φ11 反向芯片	60	＞1200	900	≤ 1.2	＜20	＜3	＜40
Φ12.4 正向芯片	70	＞1000	1700	≤ 1.2	＜20	＜3	＜50
Φ12.4 反向芯片	70	＞1000	1700	≤ 1.2	＜20	＜3	＜50
Φ15.5 正向芯片	150	＞1600	2200	≤ 1.2	＜20	＜4	＜50
Φ15.5 反向芯片	150	＞1600	2200	≤ 1.2	＜20	＜4	＜50

使用注意事项：

1、芯片从蓝膜上取下时，应用电热吹风对蓝膜加热后取下芯片。

2、建议用真空吸笔拿取芯片。

3、工作时应戴好口罩、静电手指套等防护用品。

4、严禁用手直接接触芯片。

5、蓝膜一旦揭掉，必须将本批芯片全部用完，防止氧化。