IGBT单单元模块
1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。
2、集-射极饱和压降低，功耗小。
3、栅-射极截止电流小。
4、高等级塑封及金属全密封结构，安装方便，可靠性高。
5、热性能好。
质量等级
1、JP、JT：GJB33A-97
2、七专G：QZJ840611A
3、SJ20668-1998《微电路模块总规范》。
主要技术指标：
|
型号 参 数 |
集-射极 电压 VCES
|
集电极 额定电流 IC@TC=85℃ |
栅-射极阈值电压VGE(th) |
栅-射极 截止电流 IGES |
集-射极饱和电压 VCE(sat) |
热阻 Rth(J-C) |
(EON+EOFF) @Tj=125℃typ |
封装外形 |
备注 |
|
V |
A |
V |
nA |
V |
K/W |
mJ |
|||
|
HGM100SGX120D6S |
1200 |
100 |
6.0 |
400 |
1.75 |
0.306 |
16.2 |
D6.0 |
产品详细电特性、外形图以各产品的技术规格书为准。 |
|
HGM150SDX120D6S |
1200 |
150 |
6.0 |
400 |
1.75 |
0.223 |
23.4 |
D6.0 |
|
|
HGM300SGX120C2S |
1200 |
300 |
6.0 |
400 |
1.75 |
0.102 |
50.1 |
C2.1 |
|
|
HGM400SGX120C2S |
1200 |
400 |
6.0 |
400 |
1.75 |
0.080 |
77.3 |
C2.1 |
|
|
HGM600SGX120C2S |
1200 |
600 |
6.0 |
400 |
1.75 |
0.044 |
91.8 |
C2.1 |
|
|
HGM900SGX120C2S |
1200 |
900 |
6.0 |
400 |
1.75 |
0.035 |
103.4 |
C2.1 |
|
|
HGM100SGY120D6S |
1200 |
100 |
6.0 |
400 |
1.70 |
0.278 |
18.5 |
D6.0 |
|
|
HGM150SGY120D6S |
1200 |
150 |
6.0 |
400 |
1.70 |
0.203 |
26.1 |
D6.0 |
|
|
HGM300SGY120C2S |
1200 |
300 |
6.0 |
400 |
1.70 |
0..093 |
57.1 |
C2.1 |
|
|
HGM400SGY120C2S |
1200 |
400 |
6.0 |
400 |
1.70 |
0..072 |
86.8 |
C2.1 |
|
|
HGM600SGY120C2S |
1200 |
600 |
6.0 |
400 |
1.70 |
0..040 |
103.8 |
C2.1 |
|
|
HGM900SGY120C2S |
1200 |
900 |
6.0 |
400 |
1.70 |
0..032 |
117.0 |
C2.1 |
|
|
HGM75SGU120D6S |
1200 |
75 |
5.8 |
400 |
3.1 |
0.221 |
9.3 |
D6.0 |
|
|
HGM400SGU120C2S |
1200 |
400 |
5.8 |
400 |
3.1 |
0.047 |
41.6 |
C2.1 |
|
|
HGM600SGU120C2S |
1200 |
600 |
5.8 |
400 |
3.1 |
0.031 |
130.8 |
C2.1 |
T0-247外形图
|
尺寸符号 |
数值 |
||
|
最小值 |
公称值 |
最大值 |
|
|
L |
19.60 |
19.80 |
20.00 |
|
W |
45.8 |
46.5 |
47.2 |
|
W1 |
25.80 |
26.00 |
26.20 |
|
W2 |
19.60 |
19.80 |
20.00 |
|
W3 |
6.00 |
6.20 |
6.40 |
|
H |
6.80 |
7.00 |
7.20 |
|
H1 |
1.10 |
1.20 |
1.30 |
|
S |
10.70 |
10.92 |
11.12 |
|
S1 |
3.80 |
4.00 |
4.20 |
|
ΦR |
3.40 |
3.60 |
3.80 |
|
ΦR1 |
1.30 |
1.50 |
1.70 |
引出端极性说明：1、栅极；2、发射极；3、集电极
T0-264外形图
|
尺寸符号 |
数值 |
||
|
最小值 |
公称值 |
最大值 |
|
|
L |
19.60 |
19.80 |
20.00 |
|
W |
45.8 |
46.5 |
47.2 |
|
W1 |
25.80 |
26.00 |
26.20 |
|
W2 |
19.60 |
19.80 |
20.00 |
|
W3 |
6.00 |
6.20 |
6.40 |
|
H |
6.80 |
7.00 |
7.20 |
|
H1 |
1.10 |
1.20 |
1.30 |
|
S |
10.70 |
10.92 |
11.12 |
|
S1 |
3.80 |
4.00 |
4.20 |
|
ΦR |
3.40 |
3.60 |
3.80 |
|
ΦR1 |
1.30 |
1.50 |
1.70 |
引出端极性说明：1、栅极；2、发射极；3、集电极
IGBT模块 C1.0封装外形图
IGBT模块 C2.0封装外形图
IGBT模块 C2.1封装外形图
IGBT模块 C5.4封装外形图
IGBT模块 C6.0封装外形图
IGBT模块 C6.2封装外形图
IGBT模块 C6.3封装外形图
IGBT模块 C6.4封装外形图
IGBT模块 C6.6封装外形图
IGBT模块 C6.9封装外形图
IGBT模块 C6.10封装外形图
IGBT模块 C8.0封装外形图
IGBT模块 C8.1封装外形图
IGBT模块 C8.2封装外形图
IGBT模块 D6.0封装外形图
IGBT模块 B3.1封装外形图
IGBT模块 L2.1封装外形图
IGBT模块 L3.2封装外形图
IGBT模块 L3.7封装外形图