电力半导体三相整流模块
1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。
2、通态压降低，功耗小。
3、高温175℃下反向漏电流小。
4、浪涌电流能力强。
5、塑料灌封结构，安装方便，可靠性高。
6、热性能好。
描述
质量等级
1、企军标JP 参照GJB33A-97执行
2、普军J：参考QZJ840611A执行。
三相整流管模块额定值和特性参数
表1：三相整流管模块额定值和特性参数
|
|
IF(AV) |
VRRM |
IRRM |
VFM |
TjM |
Rjc |
VISO |
产品外 形图 |
备注 |
|
A |
V |
mA |
V |
℃ |
℃/W |
VAC |
|||
|
MDS
|
50 |
200～2500 |
≤5 |
≤1.2 |
175 |
0.54 |
|
图6-8 |
产品详细电特性、外形图以各产品的技术规格书为准。 |
|
75 |
200～2500 |
≤5 |
≤1.2 |
175 |
0.30 |
2500 |
图6-8 |
||
|
90 |
200～2500 |
≤5 |
≤1.2 |
175 |
0.21 |
2500 |
图6-9 |
||
|
100 |
200～2500 |
≤5 |
≤1.2 |
175 |
0.21 |
2500 |
图6-9 |
||
|
130 |
200～2500 |
≤5 |
≤1.2 |
175 |
0.20 |
2500 |
图6-10 |
||
|
150 |
200～2500 |
≤5 |
≤1.2 |
175 |
0.20 |
2500 |
图6-10 |
||
|
200 |
200～2500 |
≤6 |
≤1.3 |
175 |
0.20 |
2500 |
图6-11 |
电力半导体三相整流模块电连接方式：
