金属全密封高温旋转/整流二极管模块

1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。     

2、通态压降低,功耗小。

3、高温175℃下反向漏电流小。       

4、浪涌电流能力强。

5、金属全密封结构,安装方便,可靠性高。    

6、热性能好。

 
 

质量等级

1、企军标JP、JT:GJB33A-97

2、七专G:QZJ840611A

3、普军J:参考QZJ840611A执行。

 

高温旋转整流二极管模块额定值和特性参数

表1:高温旋转整流二极管模块额定值和特性参数表

 

IFM

VRRM

IRRM

VFM

TjM

IFSM

trr

Rjc

VISO

产品外形图

备注

A

V

mA

V

A

ns

℃/W

VAC

MDS

MDQ

HSG

25

100~1800

≤3

≤1.4

175

450

≤800

0.78

2500

图7-4

产品详细电特性、外形图以各产品的技术规格书为准。

40

100~1800

≤3

≤1.4

175

720

≤800

0.55

2500

图7-1

55

100~1800

≤3

≤1.4

175

990

≤800

0.5

2500

图7-2

70

100~1800

≤3

≤1.4

175

1260

≤800

0.33

2500

图7-1

90

100~1800

≤3

≤1.4

175

1620

≤800

0.27

2500

图7-5

110

100~1800

≤3

≤1.4

175

1980

≤800

0.25

2500

图7-5

130

100~1800

≤3

≤1.4

175

2340

≤800

0.25

2500

图7-5

160

100~1800

≤3

≤1.4

175

2880

≤800

0.25

2500

图7-6

180

100~1800

≤3

≤1.4

175

3240

≤800

0.16

2500

图7-6

200

100~1800

≤3

≤1.4

175

3600

≤800

0.15

2500

图7-6

 

电力半导体桥臂整流模块电连接方式:

型号

MDC

MDA

MDK

电联结形式

     

 

电力半导体三相整流模块电连接方式:

 

电力半导体桥式整流模块电连接方式: