普通晶闸管
1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。
2、通态压降低，功耗小。
3、高温100℃下反向漏电流小。
4、浪涌电流能力强。
5、金属全密封结构，可靠性高。
6、热性能好。
质量等级
1、企军标JP、JT：GJB33A-97
2、七专G：QZJ840611A
3、普军J：参考QZJ840611A执行。
最大额定值
表1：最大额定值
|
型号 参 数 |
断态/反向重复峰值电压 VDRM/VRRM（V） |
通态平均 电流 IT(AV) （A） |
正向不重复 浪涌电流 IFSM（A） |
门极电流 IGT(mA) |
门极电压 VGT(V) |
贮存 温度 Tstg（℃） |
||
|
25℃ |
-55℃ |
25℃ |
-55℃ |
|||||
|
3CT102(KP3) |
见表2(表3) |
3 |
55 |
5～70 |
＜210 |
≤2.0 |
＜4 |
-55～100 |
|
3CT103(KP5) |
见表2(表3) |
5 |
90 |
7～70 |
＜210 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
3CT104(KP10) |
见表2(表3) |
10 |
190 |
5～100 |
＜300 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
3CT105(KP20) |
见表2(表3) |
20 |
380 |
5～100 |
＜300 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
3CT106(KP30) |
见表2(表3) |
30 |
560 |
8～150 |
＜400 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
3CT107(KP50) |
见表2(表3) |
50 |
940 |
8～150 |
＜400 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
KP100 |
见表3 |
100 |
1800 |
10～150 |
＜400 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
KP150 |
见表3 |
150 |
2550 |
10～150 |
＜400 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
KP200 |
见表3 |
200 |
3400 |
10～150 |
＜400 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
KP300 |
见表3 |
300 |
4800 |
10～150 |
＜400 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
KP500 |
见表3 |
500 |
7500 |
10～150 |
＜400 |
≤2.0 |
＜4 |
|
|
测试条件 |
－ |
TC=50℃ |
tp=10ms TC=25℃ |
－ |
－ |
|
||
重复峰值电压VDRM、VRRM分档
表2：重复峰值电压VDRM、VRRM分档：
|
档 级 |
A |
B |
C |
D |
E |
F |
G |
H |
|
VDRM、VRRM（V） |
50 |
100 |
200 |
300 |
400 |
500 |
600 |
700 |
|
档 级 |
J |
K |
L |
M |
N |
P |
Q |
R |
|
VDRM、VRRM（V） |
800 |
900 |
1000 |
1200 |
1400 |
1600 |
1800 |
2000 |
表3：国标晶闸管重复峰值电压VDRM、VRRM分档：
|
档 级 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
|
VDRM、VRRM（V） |
100 |
200 |
300 |
400 |
500 |
600 |
700 |
800 |
|
档 级 |
9 |
10 |
12 |
14 |
16 |
18 |
20 |
|
|
VDRM、VRRM（V） |
900 |
1000 |
1200 |
1400 |
1600 |
1800 |
2000 |
|
电特性指标：
表4：主要电特性
|
型号 参 数 |
通态平均 压降 VT（V） |
最大正向峰值电压 VTM（V） |
断态电压临界 上升率 dV/dt（V/μs） |
最大断态/反向 漏电流 |
最高 结温 TjM（℃） |
产品 外形图 |
备注 |
|
IDR/IRR（mA） |
|||||||
|
3CT102(KP3) |
＜1.2 |
＜1.2 |
30 |
＜0.01 |
100 |
C2 - 01B |
产品详细电特性、外形图以各产品的技术规格书为准。 |
|
3CT103(KP5) |
＜1.2 |
＜1.2 |
30 |
＜0.01 |
C2 - 01B |
||
|
3CT104(KP10) |
＜1.2 |
＜1.2 |
30 |
＜0.05 |
C2 - 01D |
||
|
3CT105(KP20) |
＜1.2 |
＜1.3 |
30 |
＜0.05 |
C2 - 01D |
||
|
3CT106(KP30) |
＜1.2 |
＜1.5 |
30 |
＜0.1 |
C2 - 02C |
||
|
3CT107(KP50) |
＜1.2 |
＜1.5 |
30 |
＜0.1 |
C2 - 02C |
||
|
KP100 |
＜1.2 |
＜2.0 |
30 |
＜0.25 |
C2 - 02D |
||
|
KP200 |
＜1.2 |
＜2.0 |
30 |
＜0.5 |
图8-8 |
||
|
KP300 |
＜1.2 |
＜2.0 |
30 |
＜0.5 |
图8-9 |
||
|
KP500 |
＜1.2 |
＜2.0 |
30 |
＜0.5 |
图8-10 |
||
|
测试条件 |
IF=额定电流 |
IFM=πIF |
TA=100℃ VD=2/3VDRM |
TA=25℃及TA=100℃ VRRM条件下 |
－ |
|