金属全密封晶闸管模块 - 青岛海宜丰电力电子有限公司

产品7+10

金属全密封晶闸管模块

1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。

2、通态压降低，功耗小。

3、高温125℃下反向漏电流小。

4、浪涌电流能力强。

5、金属全密封结构，安装方便，可靠性高。

6、热性能好。

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质量等级

1、企军标JP、JT：GJB33A-97

2、七专G：QZJ840611A

3、普军J：参考QZJ840611A执行。

金属全密封晶闸管模块额定值和特性参数

表1：金属全密封晶闸管模块额定值和特性参数表

	I_T(AV)	V_DRM/V_RRM	I_DRM、I_RRM	V_TM	T_jM	I_GT	V_GT	R_jc	产品外形图	备注
	A	V	mA	V	℃	mA	V	℃/W	产品外形图	备注
MTC MTA MTK MTX MFC	25	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.78	图10-1	产品详细电特性、外形图以各产品的技术规格书为准。
	40	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.55	图10-2
	55	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.5	图10-3
	70	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.33	图10-4
	80	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.29	图10-5
	90	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.27	图10-5
	110	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.25	图10-5
	130	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.25	图10-6
	160	200～1800	≤3	≤1.4	125	10～100	≤2	0.25	图10-6

此类模块电极与壳体间绝缘电压均大于2500V。