高压高温硅堆模块

1、芯片采用平面外延工艺。

2、芯片双面进行银金属化/银铝金属化处理。

3、高温下反向漏电流小。

4、反向耐压能力强。

5、密封采用金属陶瓷封装,耐温度冲击能力强。

漏率达到 5×10 -9cm3▪m/s 以上。

质量等级

1、企军标JP、JT:GJB33A-97

2、七专G:QZJ840611A

3、普军J:参考QZJ840611A执行。

 

高压高温硅堆模块额定值和特性参数

表1:高温旋转整流二极管模块额定值和特性参数表

 

IF(AV)

VRRM

IFSM

VF(AV)

Tj

备注

A

V

A

V

2DGL

1

8000

≤10

≤10

-55~260

产品详细电特性、外形图以各产品的技术规格书为准。

1.5

10000

≤20

≤30

-55~280

2

8000

≤20

≤20

-55~280

30

5000

≤300

≤5

-55~260

 

电力半导体桥臂整流模块电连接方式:

型号

2DL

2DGL

 

工频高压硅堆 高频高压硅堆