高压高温硅堆模块
1、芯片采用平面外延工艺。
2、芯片双面进行银金属化/银铝金属化处理。
3、高温下反向漏电流小。
4、反向耐压能力强。
5、密封采用金属陶瓷封装,耐温度冲击能力强。
漏率达到 5×10 -9cm3▪m/s 以上。
描述
质量等级
1、企军标JP、JT:GJB33A-97
2、七专G:QZJ840611A
3、普军J:参考QZJ840611A执行。
高压高温硅堆模块额定值和特性参数
表1:高温旋转整流二极管模块额定值和特性参数表
|
IF(AV) |
VRRM |
IFSM |
VF(AV) |
Tj |
备注 |
A |
V |
A |
V |
℃ |
||
2DGL |
1 |
8000 |
≤10 |
≤10 |
-55~260 |
产品详细电特性、外形图以各产品的技术规格书为准。 |
1.5 |
10000 |
≤20 |
≤30 |
-55~280 |
||
2 |
8000 |
≤20 |
≤20 |
-55~280 |
||
30 |
5000 |
≤300 |
≤5 |
-55~260 |
电力半导体桥臂整流模块电连接方式:
型号 |
2DL |
2DGL |
|
工频高压硅堆 | 高频高压硅堆 |